ഘടകങ്ങളുടെ എല്ലാ വശങ്ങളും പരിഗണിക്കുന്നതിനുള്ള MOSFET ഉപകരണ തിരഞ്ഞെടുപ്പ്, ചെറുത് മുതൽ N-തരം അല്ലെങ്കിൽ P-തരം, പാക്കേജ് തരം, വലുത് മുതൽ MOSFET വോൾട്ടേജ്, ഓൺ-റെസിസ്റ്റൻസ് മുതലായവ വരെ, വ്യത്യസ്ത ആപ്ലിക്കേഷൻ ആവശ്യകതകൾ വ്യത്യാസപ്പെടുന്നു.ഇനിപ്പറയുന്ന ലേഖനം 3 പ്രധാന നിയമങ്ങളുടെ MOSFET ഉപകരണ തിരഞ്ഞെടുപ്പിനെ സംഗ്രഹിക്കുന്നു, വായിച്ചതിനുശേഷം നിങ്ങൾക്ക് ഒരു വലിയ ഇടപാട് ഉണ്ടാകുമെന്ന് ഞാൻ വിശ്വസിക്കുന്നു.
1. പവർ മോസ്ഫെറ്റ് തിരഞ്ഞെടുക്കൽ ഘട്ടം ഒന്ന്: പി-ട്യൂബ്, അല്ലെങ്കിൽ എൻ-ട്യൂബ്?
രണ്ട് തരത്തിലുള്ള പവർ MOSFET-കൾ ഉണ്ട്: N-ചാനലും P-ചാനലും, N-ട്യൂബ് അല്ലെങ്കിൽ P-ട്യൂബ് തിരഞ്ഞെടുക്കുന്നതിനുള്ള സിസ്റ്റം ഡിസൈൻ പ്രക്രിയയിൽ, തിരഞ്ഞെടുക്കാനുള്ള യഥാർത്ഥ ആപ്ലിക്കേഷനിലേക്ക്, മോഡൽ തിരഞ്ഞെടുക്കാൻ N-ചാനൽ MOSFET-കൾ, ചെലവുകുറഞ്ഞത്;പി-ചാനൽ MOSFET-കൾ മോഡൽ കുറഞ്ഞതും ഉയർന്ന ചെലവും തിരഞ്ഞെടുക്കാൻ.
പവർ മോസ്ഫെറ്റിന്റെ എസ്-പോൾ കണക്ഷനിലെ വോൾട്ടേജ് സിസ്റ്റത്തിന്റെ റഫറൻസ് ഗ്രൗണ്ട് അല്ലെങ്കിൽ, എൻ-ചാനലിന് ഫ്ലോട്ടിംഗ് ഗ്രൗണ്ട് പവർ സപ്ലൈ ഡ്രൈവ്, ട്രാൻസ്ഫോർമർ ഡ്രൈവ് അല്ലെങ്കിൽ ബൂട്ട്സ്ട്രാപ്പ് ഡ്രൈവ്, ഡ്രൈവ് സർക്യൂട്ട് കോംപ്ലക്സ് എന്നിവ ആവശ്യമാണ്;പി-ചാനൽ നേരിട്ട് ഡ്രൈവ് ചെയ്യാം, ലളിതമായി ഡ്രൈവ് ചെയ്യാം.
പ്രധാനമായും എൻ-ചാനൽ, പി-ചാനൽ ആപ്ലിക്കേഷനുകൾ പരിഗണിക്കേണ്ടതുണ്ട്
എ.CPU, സിസ്റ്റം കൂളിംഗ് ഫാൻ, പ്രിന്റർ ഫീഡിംഗ് സിസ്റ്റം മോട്ടോർ ഡ്രൈവ്, വാക്വം ക്ലീനർ, എയർ പ്യൂരിഫയറുകൾ, ഇലക്ട്രിക് ഫാനുകൾ, മറ്റ് വീട്ടുപകരണങ്ങൾ മോട്ടോർ കൺട്രോൾ സർക്യൂട്ട് എന്നിവ നൽകാൻ ഉപയോഗിക്കുന്ന നോട്ട്ബുക്ക് കമ്പ്യൂട്ടറുകൾ, ഡെസ്ക്ടോപ്പുകൾ, സെർവറുകൾ, ഈ സംവിധാനങ്ങൾ ഫുൾ-ബ്രിഡ്ജ് സർക്യൂട്ട് ഘടന ഉപയോഗിക്കുന്നു, ഓരോ ബ്രിഡ്ജ് ആം ട്യൂബിൽ പി-ട്യൂബ് ഉപയോഗിക്കാം, എൻ-ട്യൂബും ഉപയോഗിക്കാം.
ബി.കമ്മ്യൂണിക്കേഷൻ സിസ്റ്റം 48V ഇൻപുട്ട് സിസ്റ്റം ഹോട്ട്-പ്ലഗ് MOSFET- കൾ ഉയർന്ന തലത്തിൽ സ്ഥാപിച്ചിരിക്കുന്നു, നിങ്ങൾക്ക് P-ട്യൂബുകൾ ഉപയോഗിക്കാം, നിങ്ങൾക്ക് N-ട്യൂബുകളും ഉപയോഗിക്കാം.
സി.നോട്ട്ബുക്ക് കമ്പ്യൂട്ടർ ഇൻപുട്ട് സർക്യൂട്ട് സീരീസിൽ, ആന്റി റിവേഴ്സ് കണക്ഷന്റെയും ലോഡ് സ്വിച്ചിംഗിന്റെയും രണ്ട് ബാക്ക്-ടു-ബാക്ക് പവർ മോസ്ഫെറ്റുകളുടെ പങ്ക് വഹിക്കുന്നു, എൻ-ചാനലിന്റെ ഉപയോഗം ചിപ്പ് ഇന്റേണൽ ഇന്റഗ്രേറ്റഡ് ഡ്രൈവ് ചാർജ് പമ്പ് നിയന്ത്രിക്കേണ്ടതുണ്ട്, പി-ചാനലിന്റെ ഉപയോഗം നേരിട്ട് ഓടിക്കാൻ കഴിയും.
2. പാക്കേജ് തരം തിരഞ്ഞെടുക്കൽ
പാക്കേജ് നിർണ്ണയിക്കുന്നതിനുള്ള രണ്ടാം ഘട്ടം നിർണ്ണയിക്കുന്നതിനുള്ള പവർ മോസ്ഫെറ്റ് ചാനൽ തരം, പാക്കേജ് തിരഞ്ഞെടുക്കൽ തത്വങ്ങൾ ഇവയാണ്.
എ.പാക്കേജ് തിരഞ്ഞെടുക്കുന്നതിനുള്ള ഏറ്റവും അടിസ്ഥാന ആവശ്യകതയാണ് താപനില വർദ്ധനവും താപ രൂപകൽപ്പനയും
വ്യത്യസ്ത പാക്കേജ് വലുപ്പങ്ങൾക്ക് വ്യത്യസ്ത താപ പ്രതിരോധവും പവർ ഡിസ്‌സിപേഷനും ഉണ്ട്, കൂടാതെ സിസ്റ്റത്തിന്റെ താപ അവസ്ഥകളും അന്തരീക്ഷ താപനിലയും കണക്കിലെടുക്കുന്നു, അതായത് എയർ കൂളിംഗ് ഉണ്ടോ, ഹീറ്റ് സിങ്കിന്റെ ആകൃതിയും വലുപ്പ നിയന്ത്രണങ്ങളും, പരിസ്ഥിതി അടച്ചിട്ടുണ്ടോ എന്നതും മറ്റ് ഘടകങ്ങളും, MOSFET-ന്റെ താപനില വർദ്ധനയും സിസ്റ്റം കാര്യക്ഷമതയും ഉറപ്പാക്കുക എന്നതാണ് അടിസ്ഥാന തത്വം, പാരാമീറ്ററുകൾ തിരഞ്ഞെടുക്കുന്നതിനും കൂടുതൽ പൊതുവായ പവർ MOSFET പാക്കേജ് ചെയ്യുന്നതിനുമുള്ള അടിസ്ഥാനം.
ചിലപ്പോൾ മറ്റ് വ്യവസ്ഥകൾ കാരണം, പിഎഫ്‌സി ആപ്ലിക്കേഷനുകൾ, ഇലക്ട്രിക് വെഹിക്കിൾ മോട്ടോർ കൺട്രോളറുകൾ, മൊഡ്യൂൾ പവർ സപ്ലൈ സെക്കണ്ടറി സിൻക്രണസ് റെക്റ്റിഫിക്കേഷൻ ആപ്ലിക്കേഷനുകൾ പോലെയുള്ള കമ്മ്യൂണിക്കേഷൻസ് സിസ്റ്റങ്ങൾ എന്നിവ പോലുള്ള താപ വിസർജ്ജനത്തിന്റെ പ്രശ്നം പരിഹരിക്കുന്നതിന് സമാന്തരമായി ഒന്നിലധികം MOSFET-കൾ ഉപയോഗിക്കേണ്ടതിന്റെ ആവശ്യകത തിരഞ്ഞെടുക്കപ്പെടുന്നു. ഒന്നിലധികം ട്യൂബുകൾക്ക് സമാന്തരമായി.
മൾട്ടി-ട്യൂബ് പാരലൽ കണക്ഷൻ ഉപയോഗിക്കാൻ കഴിയുന്നില്ലെങ്കിൽ, മികച്ച പ്രകടനമുള്ള ഒരു പവർ മോസ്ഫെറ്റ് തിരഞ്ഞെടുക്കുന്നതിനു പുറമേ, ഒരു വലിയ വലിപ്പത്തിലുള്ള പാക്കേജോ പുതിയ തരത്തിലുള്ള പാക്കേജോ ഉപയോഗിക്കാം, ഉദാഹരണത്തിന്, ചില AC/DC പവർ സപ്ലൈകളിൽ TO220 TO247 പാക്കേജിലേക്ക് മാറ്റും;ചില കമ്മ്യൂണിക്കേഷൻ സിസ്റ്റം പവർ സപ്ലൈകളിൽ, പുതിയ DFN8*8 പാക്കേജ് ഉപയോഗിക്കുന്നു.
ബി.സിസ്റ്റത്തിന്റെ വലുപ്പ പരിമിതി
ചില ഇലക്ട്രോണിക് സിസ്റ്റങ്ങൾ പിസിബിയുടെ വലിപ്പവും ഇന്റീരിയറിന്റെ ഉയരവും പരിമിതപ്പെടുത്തിയിരിക്കുന്നു, നിയന്ത്രണങ്ങളുടെ ഉയരം കാരണം ആശയവിനിമയ സംവിധാനങ്ങളുടെ മൊഡ്യൂൾ പവർ സപ്ലൈ സാധാരണയായി DFN5 * 6, DFN3 * 3 പാക്കേജ് ഉപയോഗിക്കുന്നു;ചില ACDC പവർ സപ്ലൈയിൽ, അൾട്രാ-നേർത്ത രൂപകൽപ്പനയുടെ ഉപയോഗം അല്ലെങ്കിൽ ഷെല്ലിന്റെ പരിമിതികൾ, അസംബ്ലി TO220 പാക്കേജ് പവർ MOSFET പിന്നുകൾ നേരിട്ട് റൂട്ടിലേക്ക്, നിയന്ത്രണങ്ങളുടെ ഉയരം TO247 പാക്കേജ് ഉപയോഗിക്കാൻ കഴിയില്ല.
ചില അൾട്രാ-നേർത്ത ഡിസൈൻ നേരിട്ട് ഉപകരണ പിൻസ് ഫ്ലാറ്റ് വളയ്ക്കുന്നു, ഈ ഡിസൈൻ നിർമ്മാണ പ്രക്രിയ സങ്കീർണ്ണമാകും.
വലിയ കപ്പാസിറ്റിയുള്ള ലിഥിയം ബാറ്ററി പ്രൊട്ടക്ഷൻ ബോർഡിന്റെ രൂപകൽപ്പനയിൽ, അതികഠിനമായ അളവിലുള്ള നിയന്ത്രണങ്ങൾ കാരണം, ഏറ്റവും ചെറിയ വലിപ്പം ഉറപ്പാക്കിക്കൊണ്ട്, കഴിയുന്നത്ര താപ പ്രകടനം മെച്ചപ്പെടുത്തുന്നതിന് ഇപ്പോൾ മിക്കവരും ചിപ്പ്-ലെവൽ CSP പാക്കേജ് ഉപയോഗിക്കുന്നു.
സി.വില നിയന്ത്രണം
പ്ലഗ്-ഇൻ പാക്കേജ് ഉപയോഗിച്ചിരുന്ന ആദ്യകാല ഇലക്ട്രോണിക് സംവിധാനങ്ങൾ, ഈ വർഷങ്ങളിൽ വർദ്ധിച്ച തൊഴിൽ ചെലവ് കാരണം, പല കമ്പനികളും SMD പാക്കേജിലേക്ക് മാറാൻ തുടങ്ങി, എന്നിരുന്നാലും SMD-യുടെ വെൽഡിംഗ് ചെലവ് പ്ലഗ്-ഇന്നേക്കാൾ ഉയർന്നതാണ്, എന്നാൽ SMD വെൽഡിങ്ങിന്റെ ഉയർന്ന അളവിലുള്ള ഓട്ടോമേഷൻ, മൊത്തത്തിലുള്ള ചെലവ് ഇപ്പോഴും ന്യായമായ പരിധിയിൽ നിയന്ത്രിക്കാനാകും.ഡെസ്‌ക്‌ടോപ്പ് മദർബോർഡുകളും ബോർഡുകളും പോലുള്ള ചില ആപ്ലിക്കേഷനുകളിൽ, ഈ പാക്കേജിന്റെ വില കുറവായതിനാൽ DPAK പാക്കേജുകളിലെ പവർ MOSFET-കൾ സാധാരണയായി ഉപയോഗിക്കാറുണ്ട്.
അതിനാൽ, പവർ മോസ്ഫെറ്റ് പാക്കേജിന്റെ തിരഞ്ഞെടുപ്പിൽ, മുകളിൽ പറഞ്ഞ ഘടകങ്ങൾ കണക്കിലെടുത്ത് സ്വന്തം കമ്പനിയുടെ ശൈലിയും ഉൽപ്പന്ന സവിശേഷതകളും സംയോജിപ്പിക്കാൻ.
3. ഓൺ-സ്റ്റേറ്റ് റെസിസ്റ്റൻസ് RDSON തിരഞ്ഞെടുക്കുക, ശ്രദ്ധിക്കുക: നിലവിലുള്ളതല്ല
RDSON-നെ കുറിച്ച് എഞ്ചിനീയർമാർ പലപ്പോഴും ആശങ്കാകുലരാണ്, കാരണം RDSON ഉം ചാലക നഷ്ടവും നേരിട്ട് ബന്ധപ്പെട്ടിരിക്കുന്നു, RDSON ചെറുതാകുമ്പോൾ MOSFET ചാലക നഷ്ടം കുറയുന്നു, കാര്യക്ഷമത കൂടുന്തോറും താപനില ഉയരും.
അതുപോലെ, എഞ്ചിനീയർമാർക്ക് കഴിയുന്നിടത്തോളം മുമ്പത്തെ പ്രോജക്റ്റ് അല്ലെങ്കിൽ മെറ്റീരിയൽ ലൈബ്രറിയിലെ നിലവിലുള്ള ഘടകങ്ങൾ പിന്തുടരാൻ, യഥാർത്ഥ തിരഞ്ഞെടുപ്പ് രീതിയുടെ RDSON-ന് കൂടുതൽ പരിഗണിക്കേണ്ടതില്ല.തിരഞ്ഞെടുത്ത പവർ MOSFET ന്റെ താപനില വർദ്ധനവ് വളരെ കുറവാണെങ്കിൽ, ചെലവ് കാരണങ്ങളാൽ, RDSON വലിയ ഘടകങ്ങളിലേക്ക് മാറും;പവർ MOSFET ന്റെ താപനില വളരെ ഉയർന്നതാണെങ്കിൽ, സിസ്റ്റത്തിന്റെ കാര്യക്ഷമത കുറവായിരിക്കും, RDSON ചെറിയ ഘടകങ്ങളിലേക്ക് മാറും, അല്ലെങ്കിൽ ബാഹ്യ ഡ്രൈവ് സർക്യൂട്ട് ഒപ്റ്റിമൈസ് ചെയ്യുന്നതിലൂടെ, താപ വിസർജ്ജനം ക്രമീകരിക്കാനുള്ള വഴി മെച്ചപ്പെടുത്തുന്നു.
ഇതൊരു പുതിയ പ്രോജക്‌റ്റാണെങ്കിൽ, പിന്തുടരാൻ മുമ്പുള്ള പ്രോജക്റ്റ് ഒന്നുമില്ല, പിന്നെ എങ്ങനെ പവർ MOSFET RDSON തിരഞ്ഞെടുക്കാം? നിങ്ങൾക്ക് പരിചയപ്പെടുത്താനുള്ള ഒരു രീതി ഇതാ: വൈദ്യുതി ഉപഭോഗ വിതരണ രീതി.
ഒരു പവർ സപ്ലൈ സിസ്റ്റം രൂപകൽപ്പന ചെയ്യുമ്പോൾ, അറിയപ്പെടുന്ന വ്യവസ്ഥകൾ ഇവയാണ്: ഇൻപുട്ട് വോൾട്ടേജ് റേഞ്ച്, ഔട്ട്പുട്ട് വോൾട്ടേജ് / ഔട്ട്പുട്ട് കറന്റ്, കാര്യക്ഷമത, ഓപ്പറേറ്റിംഗ് ഫ്രീക്വൻസി, ഡ്രൈവ് വോൾട്ടേജ്, തീർച്ചയായും, ഈ പാരാമീറ്ററുകളുമായി പ്രധാനമായും ബന്ധപ്പെട്ട മറ്റ് സാങ്കേതിക സൂചകങ്ങളും പവർ മോസ്ഫെറ്റുകളും ഉണ്ട്.ഘട്ടങ്ങൾ ഇപ്രകാരമാണ്.
എ.ഇൻപുട്ട് വോൾട്ടേജ് പരിധി അനുസരിച്ച്, ഔട്ട്പുട്ട് വോൾട്ടേജ് / ഔട്ട്പുട്ട് കറന്റ്, കാര്യക്ഷമത, സിസ്റ്റത്തിന്റെ പരമാവധി നഷ്ടം കണക്കാക്കുക.
ബി.പവർ സർക്യൂട്ട് വ്യാജമായ നഷ്ടങ്ങൾ, നോൺ-പവർ സർക്യൂട്ട് ഘടകങ്ങളുടെ സ്റ്റാറ്റിക് നഷ്ടങ്ങൾ, ഐസി സ്റ്റാറ്റിക് നഷ്ടങ്ങൾ, ഡ്രൈവ് നഷ്ടങ്ങൾ, ഒരു ഏകദേശ കണക്ക് എടുക്കാൻ, അനുഭവപരമായ മൂല്യം മൊത്തം നഷ്ടത്തിന്റെ 10% മുതൽ 15% വരെ വരും.
പവർ സർക്യൂട്ടിന് നിലവിലെ സാംപ്ലിംഗ് റെസിസ്റ്റർ ഉണ്ടെങ്കിൽ, നിലവിലെ സാംപ്ലിംഗ് റെസിസ്റ്ററിന്റെ വൈദ്യുതി ഉപഭോഗം കണക്കാക്കുക.മൊത്തത്തിലുള്ള നഷ്ടം മുകളിലുള്ള ഈ നഷ്ടങ്ങൾ ഒഴിവാക്കി, ശേഷിക്കുന്ന ഭാഗം പവർ ഡിവൈസ്, ട്രാൻസ്ഫോർമർ അല്ലെങ്കിൽ ഇൻഡക്റ്റർ പവർ നഷ്ടമാണ്.
ശേഷിക്കുന്ന വൈദ്യുതി നഷ്ടം ഒരു നിശ്ചിത അനുപാതത്തിൽ പവർ ഉപകരണത്തിനും ട്രാൻസ്ഫോർമറിനും അല്ലെങ്കിൽ ഇൻഡക്‌ടറിനും അനുവദിക്കും, നിങ്ങൾക്ക് ഉറപ്പില്ലെങ്കിൽ, ഘടകങ്ങളുടെ എണ്ണം അനുസരിച്ച് ശരാശരി വിതരണം, അങ്ങനെ ഓരോ MOSFET-ന്റെയും വൈദ്യുതി നഷ്ടം നിങ്ങൾക്ക് ലഭിക്കും.
സി.MOSFET ന്റെ വൈദ്യുതി നഷ്ടം സ്വിച്ചിംഗ് നഷ്ടത്തിനും ചാലക നഷ്ടത്തിനും ഒരു നിശ്ചിത അനുപാതത്തിൽ അനുവദിച്ചിരിക്കുന്നു, അനിശ്ചിതത്വമുണ്ടെങ്കിൽ, സ്വിച്ചിംഗ് നഷ്ടവും ചാലക നഷ്ടവും തുല്യമായി വിനിയോഗിക്കപ്പെടുന്നു.
ഡി.MOSFET ചാലക നഷ്ടവും RMS കറന്റും വഴി, അനുവദനീയമായ പരമാവധി ചാലക പ്രതിരോധം കണക്കാക്കുക, ഈ പ്രതിരോധം പരമാവധി പ്രവർത്തന ജംഗ്ഷൻ താപനില RDSON-ൽ MOSFET ആണ്.
MOSFET RDSON എന്ന പവർ ലെ ഡാറ്റ ഷീറ്റ് ഒരു നിർവചിക്കപ്പെട്ട ടെസ്റ്റ് വ്യവസ്ഥകളാൽ അടയാളപ്പെടുത്തിയിരിക്കുന്നു, വ്യത്യസ്ത നിർവചിക്കപ്പെട്ട സാഹചര്യങ്ങളിൽ വ്യത്യസ്ത മൂല്യങ്ങളുണ്ട്, ടെസ്റ്റ് താപനില: TJ = 25 ℃, RDSON ഒരു പോസിറ്റീവ് ടെമ്പറേച്ചർ കോഫിഫിഷ്യന്റ് ഉണ്ട്, അതിനാൽ MOSFET ന്റെ ഉയർന്ന പ്രവർത്തന ജംഗ്ഷൻ താപനില അനുസരിച്ച് RDSON താപനില ഗുണകം, മുകളിലുള്ള RDSON കണക്കാക്കിയ മൂല്യത്തിൽ നിന്ന്, 25 ℃ താപനിലയിൽ അനുബന്ധ RDSON ലഭിക്കാൻ.
ഇ.MOSFET RDSON-ന്റെ യഥാർത്ഥ പാരാമീറ്ററുകൾ അനുസരിച്ച്, താഴേയ്‌ക്കോ മുകളിലേക്കോ ട്രിം ചെയ്യുന്നതിലൂടെ ഉചിതമായ തരം പവർ MOSFET തിരഞ്ഞെടുക്കുന്നതിന് 25 ℃ മുതൽ RDSON.
മുകളിലുള്ള ഘട്ടങ്ങളിലൂടെ, പവർ MOSFET മോഡലിന്റെയും RDSON പാരാമീറ്ററുകളുടെയും പ്രാഥമിക തിരഞ്ഞെടുപ്പ്.
ഈ ലേഖനം നെറ്റ്‌വർക്കിൽ നിന്ന് എടുത്തതാണ്, ലംഘനം ഇല്ലാതാക്കാൻ ഞങ്ങളെ ബന്ധപ്പെടുക, നന്ദി!
Zhejiang NeoDen Technology Co., Ltd. 2010 മുതൽ വിവിധ ചെറിയ പിക്ക് ആൻഡ് പ്ലേസ് മെഷീനുകൾ നിർമ്മിക്കുകയും കയറ്റുമതി ചെയ്യുകയും ചെയ്യുന്നു. ഞങ്ങളുടെ സമ്പന്നമായ അനുഭവപരിചയമുള്ള R&D, നന്നായി പരിശീലനം ലഭിച്ച ഉൽപ്പാദനം എന്നിവ പ്രയോജനപ്പെടുത്തി, ലോകമെമ്പാടുമുള്ള ഉപഭോക്താക്കളിൽ നിന്ന് NeoDen വലിയ പ്രശസ്തി നേടി.
130-ലധികം രാജ്യങ്ങളിൽ ആഗോള സാന്നിധ്യമുള്ള നിയോഡെൻ പിഎൻപി മെഷീനുകളുടെ മികച്ച പ്രകടനവും ഉയർന്ന കൃത്യതയും വിശ്വാസ്യതയും അവയെ ഗവേഷണ-വികസനത്തിനും പ്രൊഫഷണൽ പ്രോട്ടോടൈപ്പിംഗിനും ചെറുതും ഇടത്തരവുമായ ബാച്ച് ഉൽപ്പാദനത്തിനും അനുയോജ്യമാക്കുന്നു.ഒരു സ്റ്റോപ്പ് SMT ഉപകരണങ്ങളുടെ പ്രൊഫഷണൽ പരിഹാരം ഞങ്ങൾ നൽകുന്നു.
ചേർക്കുക: നമ്പർ.18, ടിയാൻസിഹു അവന്യൂ, ടിയാൻസിഹു ടൗൺ, ആൻജി കൗണ്ടി, ഹുഷൂ സിറ്റി, സെജിയാങ് പ്രവിശ്യ, ചൈന
ഫോൺ: 86-571-26266266
പോസ്റ്റ് സമയം: ഏപ്രിൽ-19-2022